Flash 和 DRAM
DRAM(如DDR内存)中使用电容: 在动态随机存取存储器(DRAM)中,使用了电容器来存储数据。每个存储单元由一个电容器和一个晶体管组成。然而,由于电容器的电荷会泄漏,DRAM 需要周期性地刷新数据,以维持其存储状态。这使得 DRAM 成为一种易失性存储器。
Flash 存储(如SSD)中使用浮栅晶体管: 浮栅晶体管被用于闪存(Flash Memory)中,能够在没有电源的情况下长期保存数据,这是因为浮栅上的电荷不会轻易泄漏。
DRAM(如DDR内存)中使用电容: 在动态随机存取存储器(DRAM)中,使用了电容器来存储数据。每个存储单元由一个电容器和一个晶体管组成。然而,由于电容器的电荷会泄漏,DRAM 需要周期性地刷新数据,以维持其存储状态。这使得 DRAM 成为一种易失性存储器。
Flash 存储(如SSD)中使用浮栅晶体管: 浮栅晶体管被用于闪存(Flash Memory)中,能够在没有电源的情况下长期保存数据,这是因为浮栅上的电荷不会轻易泄漏。